摻雜程度(doping level)是指在無機(jī)半導(dǎo)體中,雜質(zhì)原子取代主原子位置的過程。

正文

而導(dǎo)電高聚物中常用的滲雜術(shù)語,其物理含義與傳統(tǒng)的無機(jī)半導(dǎo)體中所常用的摻雜概念完全不同,具有如下的特點(diǎn):(1)從化學(xué)角度講摻雜的實(shí)質(zhì)是氧化一還原過程;(2)從物理角度講摻雜是離子嵌入的過程;(3)摻雜和脫摻雜是完全可逆的過程,導(dǎo)電高聚物脫摻雜后除去高電導(dǎo)率特性外,摻雜量大大超過無機(jī)半導(dǎo)體摻雜量的限度。所以,離子與導(dǎo)電高聚物進(jìn)行氧化一還原反應(yīng)的程度J為摻雜程度。