正文

生長時可以保持恒溫,用控制蒸發(fā)量來控制溶液的過飽和度,得到的晶體成分均勻,生長過程穩(wěn)定,利于摻雜晶體生長。但是排出腐蝕溶劑,蒸發(fā)速率難控制,出現局部高過飽和度使晶體交叉生長。已用于制備倍頻晶體1.iTi()2和壓電晶體Li,SH2。