刃位錯(cuò)（刃位錯(cuò)）

概述

刃位錯(cuò)計(jì)算公式

利用彈性力學(xué)理論可求得刃位錯(cuò)導(dǎo)致的應(yīng)力場(chǎng)為：其中 μ 為材料的剪切模量，b 為伯格斯矢量，ν 為泊松比，x 和 y 為直角坐標(biāo)分量。從上述解中可以看出，在含有多余半原子面的一側(cè)（y > 0），材料承受壓應(yīng)力（σxx < 0）；在多余半原子面“消失”的一側(cè)（y < 0），材料承受拉應(yīng)力（σxx > 0）。

概念

刃位錯(cuò)具體體現(xiàn)

理想位錯(cuò)主要有兩種形式：刃位錯(cuò)（edge dislocations）和 螺位錯(cuò)（screw dislocations）。混合位錯(cuò)（mixed dislocations）介乎前面兩者之間。

一個(gè)刃位錯(cuò)（b = 伯格斯矢量）數(shù)學(xué)上，位錯(cuò)屬于一種拓?fù)淙毕?，有時(shí)稱為“孤立子”或“孤子”。這一理論可以解釋實(shí)際晶體中位錯(cuò)的行為：可以在晶體中移動(dòng)位置，但自身的種類(lèi)和特征在移動(dòng)中保持不變；方向（伯格斯矢量）相反的兩個(gè)位錯(cuò)移動(dòng)到同一點(diǎn)，則會(huì)雙雙消失，或稱“湮滅”，若沒(méi)有與其他位錯(cuò)發(fā)生作用或移到晶體表面，那么任何單個(gè)位錯(cuò)都不會(huì)自行“消失”（即伯格斯矢量始終保持守恒）。

位錯(cuò)是晶體中最為常見(jiàn)的缺陷之一，它對(duì)晶體材料的各種性質(zhì)都有程度不同的影響，很早就被人們關(guān)注和研究，有了比較成熟的理論和大量的實(shí)驗(yàn)研究成果。

晶體在結(jié)晶時(shí)受到雜質(zhì)﹑溫度變化或振動(dòng)產(chǎn)生的應(yīng)力作用，或由于晶體受到打擊﹑切削﹑研磨等機(jī)械應(yīng)力的作用，使晶體內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)排列變形，原子行間相互滑移，而不再符合理想晶體的有秩序的排列，由此形成的缺陷稱位錯(cuò)。位錯(cuò)是原子的一種特殊組態(tài)，是一種具有特殊結(jié)構(gòu)的晶格缺陷，因?yàn)樗谝粋€(gè)方向上尺寸較長(zhǎng)，所以被稱為線狀缺陷。位錯(cuò)的假說(shuō)是在30年代為了解釋金屬的塑性變形而提出來(lái)的，50年代得到證實(shí)。位錯(cuò)的存在對(duì)晶體的生長(zhǎng)、相變、擴(kuò)散、形變、斷裂、以及其他許多物理化學(xué)性質(zhì)都有重要影響，了解位錯(cuò)的結(jié)構(gòu)及性質(zhì)，對(duì)研究和了解金屬尤為重要，對(duì)了解陶瓷等多晶體中晶界的性質(zhì)和燒結(jié)機(jī)理，也是不可缺少的。

分類(lèi)

刃位錯(cuò)的表現(xiàn)

刃型位錯(cuò)設(shè)有一簡(jiǎn)單立方結(jié)構(gòu)的晶體，在切應(yīng)力 的作用下發(fā)生局部滑移，發(fā)生局部滑移后晶體內(nèi)在垂直方向出現(xiàn)了一個(gè)多余的半原子面，顯然在晶格內(nèi)產(chǎn)生了缺陷，這就是位錯(cuò)，這種位錯(cuò)在晶體中有一個(gè)刀刃狀的多余半原子面，所以稱為刃型位錯(cuò)。位錯(cuò)線的上部鄰近范圍受到壓應(yīng)力，而下部鄰近范圍受到拉應(yīng)力，離位錯(cuò)線較遠(yuǎn)處原子排列正常。通常稱晶體上半部多出原子面的位錯(cuò)為正刃型位錯(cuò)，用符號(hào)“┴”表示，反之為負(fù)刃型位錯(cuò)，用“┬”表示。當(dāng)然這種規(guī)定都是相對(duì)的。

特點(diǎn)

刃位錯(cuò)特點(diǎn)

刃位錯(cuò)的表現(xiàn)

2).刃型位錯(cuò)線可理解為晶體中已滑移區(qū)與未滑移區(qū)的邊界線。它不一定是直線，也可以是折線或曲線，但它必與滑移方向相垂直，也垂直于滑移矢量。

3).滑移面必定是同時(shí)包含有位錯(cuò)線和滑移矢量的平面，在其他面上不能滑移。由于在刃型位錯(cuò)中，位錯(cuò)線與滑移矢量互相垂直，因此，由它們所構(gòu)成的平面只有一個(gè)。

4).晶體中存在刃型位錯(cuò)之后，位錯(cuò)周?chē)狞c(diǎn)陣發(fā)生彈性畸變，既有切應(yīng)變，又有正應(yīng)變。就正刃型位錯(cuò)而言，滑移面上方點(diǎn)陣受到壓應(yīng)力，下方點(diǎn)陣受到拉應(yīng)力：負(fù)刃型位錯(cuò)與此相反。

5).在位錯(cuò)線周?chē)倪^(guò)渡區(qū)（畸變區(qū)）每個(gè)原子具有較大的平均能量。但該區(qū)只有幾個(gè)原子間距寬，畸變區(qū)是狹長(zhǎng)的管道，所以刃型位錯(cuò)是線缺陷。

關(guān)聯(lián)

刃位錯(cuò)與螺位錯(cuò)存在著很多區(qū)別，它們主要的不同點(diǎn)是：

（1）刃型位錯(cuò)具有一個(gè)額外的半原子面，而螺型位錯(cuò)無(wú)；

刃位錯(cuò)特點(diǎn)

（3）刃型位錯(cuò)的滑移線不一定是直線，可以是折線或曲線；而螺位錯(cuò)的滑移線一定是直線。

（4）刃位錯(cuò)的滑移面只有一個(gè)，其不能在其他面上進(jìn)行滑移；而螺位錯(cuò)的滑移面不是唯一的。

（5）刃位錯(cuò)周?chē)狞c(diǎn)陣發(fā)生彈性畸變，既有切應(yīng)變，又有正應(yīng)變，螺位錯(cuò)只有切應(yīng)變而無(wú)正應(yīng)變

刃位錯(cuò)的攀移

刃位錯(cuò)

刃位錯(cuò)

攀移的驅(qū)動(dòng)力來(lái)自于晶格中空位的運(yùn)動(dòng)。如圖9所示，若一個(gè)空位移到了刃位錯(cuò)滑移面上與位錯(cuò)線相鄰的位置上，則位錯(cuò)核心處的原子將有可能“躍遷”到空位處，造成半原子面（位錯(cuò)核心）向上移動(dòng)一個(gè)原子間距，這一刃位錯(cuò)“吸收”空位的過(guò)程稱為正攀移。若反之，有原子填充到半原子面下方，造成位錯(cuò)核心向下移動(dòng)一個(gè)原子間距，則稱為負(fù)攀移。

由于正攀移導(dǎo)致了多余半原子面的退縮，所以將使晶體在垂直半原子面方向收縮；反之，負(fù)攀移將使晶體在垂直半原子面方向膨脹。因此，在垂直半原子面方向施加的壓應(yīng)力會(huì)促使正攀移的發(fā)生，反之拉應(yīng)力則會(huì)促使負(fù)攀移的發(fā)生。這是攀移與滑移在力學(xué)影響上的主要差別，因?yàn)榛剖怯杉魬?yīng)力而非正應(yīng)力促成的。

位錯(cuò)的滑移與攀移另一處差異在于溫度相關(guān)性。溫度的升高能大大增加位錯(cuò)攀移的概率。相比而言，溫度對(duì)滑移的影響則要小得多。