用多晶硅版刻出多晶硅圖形,再用有源區(qū)版刻掉有源區(qū)上的氧化層,高溫下以n型雜質對有源區(qū)進行擴散(1000℃左右)。此時耐高溫的多晶硅和下面的氧化層起掩蔽作用。
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這家伙太懶了,什么都沒寫!
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