中國科學院半導體研究所于1960年成立，是中國國務(wù)院直屬事業(yè)單位，是集半導體物理、材料、器件及其應(yīng)用于一體的半導體科學技術(shù)的綜合性研究機構(gòu)。

研究所主要的研究方向和領(lǐng)域有半導體物理、材料、器件、工藝、電路及其集成應(yīng)用研究等。

據(jù)2016年9月研究所官網(wǎng)顯示，研究所擁有14個科研機構(gòu)，與地方政府、科研機構(gòu)、大學和企業(yè)等共建了1個院士工作站、3個研發(fā)（轉(zhuǎn)移）中心、9個聯(lián)合實驗室；擁有3個博士后流動站，3個一級學科博士培養(yǎng)點，包括5個二級學科博士培養(yǎng)點；擁有5個二級學科碩士培養(yǎng)點，3個專業(yè)學位碩士培養(yǎng)點；共有職工690余名，在學研究生近600名。

中文名

中國科學院半導體研究所

別名

中科院半導體所

總部地址

北京市海淀區(qū)清華東路甲35號

成立時間

1960年

主管部門

中國科學院

博士后點

3個

博士點

3個一級學科5個二級學科

碩士點

5個二級學科 3個專業(yè)碩士

發(fā)展歷史

1956年，在中國十二年科學技術(shù)發(fā)展遠景規(guī)劃中，半導體科學技術(shù)被列為當時國家新技術(shù)四大緊急措施之一，成立中國科學院物理研究所半導體研究室

1957年秋天，半導體研究室拉制成功了中國第一根鍺單晶。

1958年初秋，在林蘭英帶領(lǐng)下，中國的第一根硅單晶誕生。

北大門

1960年9月6日，在中國科學院物理研究所半導體研究室基礎(chǔ)上成立中國科學院半導體研究所，隸屬于中國科學院。

1975年，恢復中國科學院半導體研究所名稱，隸屬于中國科學院。

2006-2009年，連續(xù)四次獲得“中央國家機關(guān)文明單位”榮譽稱號。

2009年起，半導體所新增材料工程、電子與通信工程、集成電路工程3個專業(yè)學位碩士研究生（工程碩士）培養(yǎng)點。

2012年3月，半導體所申報的物理學、材料科學與工程、電子科學與技術(shù)三個一級學科博士培養(yǎng)點獲得中國科學院通過。

2015年12月，英國《自然》出版集團以增刊方式發(fā)布了《2015中國自然指數(shù)》（NatureIndex2015China），半導體所位列第40名。

2016年3月5日，“半導體科技發(fā)展”技術(shù)科學論壇在中國科學院半導體研究所學術(shù)會議會議中心召開。

2016年5月，獲“2015年度中科院決算編制工作先進單位”稱號。[1]

2022年8月2日消息，中科院半導體所科研團隊通過引入少量氯化銣，同時實現(xiàn)了鈣鈦礦太陽能電池的高光電轉(zhuǎn)換效率和高穩(wěn)定性，研制出的單結(jié)鈣鈦礦太陽能電池達到公開發(fā)表的世界最高效率。[10]

科研條件

設(shè)備設(shè)施

??科研設(shè)備

截至2012年3月，中心具有各類環(huán)境模擬試驗設(shè)備30余臺（套），有Royce650 鍵合拉力與芯片剪切力測試儀、SM-105-MP AVEX 機械沖擊臺、TIRA 電磁變頻振動臺、WEB9051離心機、UL1000氦質(zhì)譜檢漏儀、EDA407內(nèi)部水汽檢測儀、TE-05-70-WH高低溫(濕熱)快速溫度變化試驗箱、內(nèi)引線拉力、芯片剪切應(yīng)力測試儀、PIND4511L顆粒碰撞噪聲檢測儀、充氮充氦氟油加壓檢漏裝置、離心機、電動振動試驗系統(tǒng)、沖擊臺、鹽霧腐蝕試驗箱、高溫試驗箱、高低溫試驗箱、高低溫交變濕熱試驗箱、氦質(zhì)譜檢漏儀等設(shè)備，可依據(jù)GJB548B、GJB128A、GJB360A、GB/T2423等試驗方法標準的要求開展相關(guān)試驗，試驗項目包括機械沖擊、振動、恒定加速度、耐濕、鹽霧、芯片剪切、鍵合拉力、粒子碰撞噪聲（PIND）、粗細檢漏以及高低溫循環(huán)、貯存、老練、壽命、熱沖擊等，并可提供相應(yīng)的試驗報告及數(shù)據(jù)。

??館藏資源

據(jù)2016年9月研究所官網(wǎng)顯示，研究所圖書信息中心擁有科學出版社“科學文科”電子圖書42000種、超星“讀秀”中文電子書約400萬種、方正中文電子書約200萬種、半導體所電子書約4000種（英文700余種，中文3000余種），擁有IOPP英國物理學會電子書、SPIE國際光學工程學會電子書、Springer出版公司電子書、Wiley出版公司電子書、RSC英國皇家化學會電子書、Semiconductors and Semimetals（Elsevier系列叢書）、Progress in Optics（Elsevier系列叢書）、Solid State Physics（Elsevier系列叢書）等；擁有566種電子期刊。

人員編制

新科研樓

據(jù)2016年9月研究所官網(wǎng)顯示，研究所共有職工690余名，其中科技人員480余名，正副研究員及高級工程技術(shù)人員209名。中國科學院院士7名、中國工程院院士2名、瑞典皇家科學院外籍院士1名、第三世界科學院院士1名、發(fā)展中國家科學院院士1名；國家3名、中組部青年8名、中國科學院百人計劃21名、國家百千萬人才工程入選者7名、國家杰出青年基金獲得者16名。

中國科學院院士

：黃昆（已故）、王守武（已故）、林蘭英（已故）、王守覺（已故）、王啟明、鄭厚植、王占國、王圩、李樹深、夏建白

中國工程院院士

：梁駿吾、陳良惠

第三世界科學院院士、

瑞典皇家科學院外籍院士：黃昆（已故）

發(fā)展中國家科學院院士

：李樹深

國家：吉晨、儲濤、周曉光

中組部青年：張韻、李明、李傳波、駱軍委、張俊、王毅軍、游經(jīng)碧、魏大海

中國科學院百人計劃：祝寧華、牛智川、劉育梁、吳南健、常凱、李新奇、姬揚、楊晉玲、吳曉光、張興旺、黃永箴、馬文全、李樹深、楊濤、張新惠、李京波、楊林、王開友、陳涌海、袁國棟、阿卡迪·米哈伊魯什金

國家百千萬人才工程

：李樹深、祝寧華、陳涌海、安俊明、常凱、牛智川、劉峰奇

國家杰出青年基金獲得者

：祝寧華、肖建偉、吳曉光、黃永箴、李樹深、姬揚、李新奇、常凱、劉峰奇、牛智川、陳涌海、趙德剛、李京波、鄭婉華、王開友、譚平恒

科研部門

三號凈化樓

據(jù)2016年9月研究所官網(wǎng)顯示，研究所擁有2個國家級研究中心、3個國家重點實驗室、2個院級實驗室（中心）；設(shè)有半導體集成技術(shù)工程研究中心、光電子研究發(fā)展中心、高速電路與神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)實驗室、納米光電子實驗室、光電系統(tǒng)實驗室、全固態(tài)光源實驗室、元器件檢測中心和半導體能源研究發(fā)展中心；科學技術(shù)部和國家外國專家局批準成立“國家級國際聯(lián)合研究中心”。

國家級研究中心

：國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心

國家重點實驗室

：半導體超晶格國家重點實驗室、集成光電子學國家重點聯(lián)合實驗室、表面物理國家重點實驗室（半導體所區(qū)）

院級實驗室（中心）

：半導體材料科學重點實驗室、中科院半導體照明研發(fā)中心[9]

合作交流

據(jù)2016年9月研究所官網(wǎng)顯示，研究所與地方政府、科研機構(gòu)、大學和企業(yè)等共建了1個院士工作站、3個研發(fā)（轉(zhuǎn)移）中心、9個聯(lián)合實驗室，融合社會資本建立了10余家高技術(shù)企業(yè)。

二號科研樓

院士工作站

：河南省光電子技術(shù)院士工作站

研發(fā)（轉(zhuǎn)移）中心

：蘇州中科半導體集成技術(shù)研發(fā)中心、揚州中科半導體照明研發(fā)中心

聯(lián)合實驗室

：中國科學院半導體所-納川電子集成技術(shù)聯(lián)合實驗室、西安交通大學—中國科學院半導體研究所信息功能材料與器件聯(lián)合實驗室、中國科學院半導體所—四川九洲光電科技有限公司共建聯(lián)合實驗室、中國科學院半導體研究所—迅捷光電聯(lián)合實驗室、中國科學院半導體研究所—天津信息傳感與智能控制產(chǎn)學研聯(lián)合實驗室、揚州中科半導體照明有限公司—中科院半導體所聯(lián)合實驗室、中國科學院半導體研究所—北京航星網(wǎng)訊技術(shù)股份有限公司聯(lián)合實驗室、中國科學院半導體研究所—江蘇領(lǐng)世激光科技有限公司聯(lián)合實驗室、深圳市威富安防有限公司-中國科學院半導體研究所認知計算技術(shù)聯(lián)合實驗室[2]

科研成就

科研成果

2001年，黃昆獲國家最高科學技術(shù)獎。

一號科研樓

2008-2013年，共申請專利千余項，授權(quán)677項，每年SCI論文300篇以上。2006-2009年，研究所分別以技術(shù)入股、專利許可、技術(shù)授權(quán)等方式轉(zhuǎn)讓專利和專有技術(shù)58項，技術(shù)開發(fā)合同123項，技術(shù)開發(fā)合同及轉(zhuǎn)讓收入2.62億元。截至2013年，研究所半導體材料制備與器件研制領(lǐng)域共獲得127項專利，全固態(tài)激光器系統(tǒng)領(lǐng)域共獲得13項專利，半導體光收發(fā)器件、光電子集成及光電傳感器件、無源器件研制領(lǐng)域共獲得306項專利，智能計算系統(tǒng)與模式識別領(lǐng)域共獲得14項專利，半導體加工與測試工藝領(lǐng)域共獲得28項專利，激光成像系統(tǒng)領(lǐng)域共獲得12項專利，高亮度發(fā)光二極管（LED）工藝與設(shè)備領(lǐng)域共獲得26項專利，集成電路設(shè)計與測試領(lǐng)域共獲得36項專利，太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域共獲得25項專利。

1985-2015年，研究所獲北京市科技進步獎1項、北京市科學技術(shù)獎6項、北京市科學技術(shù)進步獎1項、北京市星火科技獎1項、高等學?？茖W研究優(yōu)秀成果獎（科學技術(shù)）科技進步獎1項、國家技術(shù)發(fā)明獎3項、國家科技進步獎2項、國家科學技術(shù)進步獎19項、國家自然科學獎4項、河北省技術(shù)發(fā)明獎1項、化學工業(yè)部科技進步獎1項、機電部科技進步獎2項、省部技術(shù)發(fā)明獎1項、省部科學技術(shù)進步獎1項、省部自然科學獎1項、天津市科技合作獎1項、天津市科技進步獎2項、鐵道部科技進步獎2項、中國電子學會科學技術(shù)獎2項、中華農(nóng)業(yè)科技獎1項、中科院科技進步獎75項、中科院自然科學獎23個。

2010-2015年，以技術(shù)入股、專利許可、技術(shù)授權(quán)等方式轉(zhuǎn)讓專利和專有技術(shù)44項，技術(shù)合同253項，橫向收入4.8億元。

學術(shù)刊物

中國科學院半導體研究所

《

半導體學報

》（Journal of Semiconductors）

《半導體學報》（Journal of Semiconductors）是月刊，由中國電子學會主辦，中國科學院半導體研究所承辦的學術(shù)刊物，報道半導體物理學和半導體科學技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)最新的科研成果和技術(shù)進展，被EI、CA、SA等收錄，在中國科學院、國家科委、中共中央宣傳部和國家新聞出版署的期刊評比中多次獲獎。主要欄目有：研究快報、研究論文、研究簡報、技術(shù)進展等。[3]

人才培養(yǎng)

學科建設(shè)

據(jù)2016年9月學校官網(wǎng)顯示，學校擁有3個博士后流動站，3個一級學科博士培養(yǎng)點，5個二級學科博士培養(yǎng)點，5個二級學科碩士培養(yǎng)點，3個專業(yè)學位碩士培養(yǎng)點。

博士后流動站

：物理學、材料科學與工程、電子科學與技術(shù)

一級學科博士培養(yǎng)點

：物理學、材料科學與工程、電子科學與技術(shù)

二級學科博士培養(yǎng)點

：凝聚態(tài)物理、材料物理與化學（半導體材料）、物理電子學、電路與系統(tǒng)、微電子學與固體電子學

二級學科碩士培養(yǎng)點

：凝聚態(tài)物理、材料物理與化學、物理電子學、電路與系統(tǒng)、微電子學與固體電子學

專業(yè)學位碩士培養(yǎng)點

：材料工程、電子與通信工程、集成電路工程

教學建設(shè)

2015屆畢業(yè)生中博士畢業(yè)86人，碩士畢業(yè)45人。

2015年12月，在首屆國科杯“我要創(chuàng)業(yè)”大賽中，研究所創(chuàng)業(yè)團隊參賽的“級聯(lián)高新光電”項目獲二等獎。

研究所設(shè)立了所長獎學金。[4]

文化傳統(tǒng)

形象標識

所徽

研究所所徽是漢字“半導”組合行程的圖案，紅色的1960是研究所創(chuàng)建年份。所徽的外環(huán)上方是研究所英文名稱，下方中文名稱。

所徽整體以寓意嚴謹、科學的藍色為主色調(diào)。

文化活動

據(jù)2016年9月研究所官網(wǎng)顯示，研究所先后組織師生開展羽毛球、排球、籃球友誼聯(lián)賽、“我愛記歌詞”大賽、“拒絕煙草·健康生活”簽名活動、迎新年聯(lián)誼會、趣味運動會、攝影大賽、征文比賽、愛國主義系列主題教育等活動。[5]