物理氣相沉積一種鍍膜技術(shù)物理氣相沉積，英文Physical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱PVD。該技術(shù)指在真空條件下，采用物理方法，將固體或液體材料源表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過(guò)低壓氣體或等離子體，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。PVD技術(shù)主要分為三類，真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍和真空離子鍍膜，應(yīng)用較廣的是離子鍍。目前，物理氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金

紅外光譜分析對(duì)物質(zhì)分子進(jìn)行的分析、鑒定紅外光譜分析（infrared spectra analysis指的是利用紅外光譜對(duì)物質(zhì)分子進(jìn)行的分析和鑒定。將一束不同波長(zhǎng)的紅外射線照射到物質(zhì)的分子上，某些特定波長(zhǎng)的紅外射線被吸收，形成這一分子的紅外吸收光譜。

電化學(xué)沉積電化學(xué)是研究化學(xué)現(xiàn)象與電現(xiàn)象之間的相互關(guān)系以及化學(xué)能與電能相互轉(zhuǎn)化規(guī)律的學(xué)科。電化學(xué)沉積是指在外電場(chǎng)作用下電流通過(guò)電解質(zhì)溶液中正負(fù)離子的遷移并在電極上發(fā)生得失電子的氧化還原反應(yīng)而形成鍍層的技術(shù)。在陰極產(chǎn)生金屬離子的還原而獲得金屬鍍層，稱為電鍍。在陽(yáng)極發(fā)生陽(yáng)極金屬的氧化而形成合用的氧化膜，稱為金屬的電化學(xué)氧化，簡(jiǎn)稱金屬的電氧化。電化學(xué)沉積與化學(xué)鍍的最大區(qū)別在于雖然都是在溶液中進(jìn)行氧化還原反

俄歇電子能譜俄歇電子能譜（Auger electron spectroscopy，簡(jiǎn)稱AES），是一種利用高能電子束為激發(fā)源的表面科學(xué)和材料科學(xué)的分析技術(shù)。因此技術(shù)主要借由俄歇效應(yīng)進(jìn)行分析而命名之。AES分析區(qū)域受激原子發(fā)射出具有元素特征的俄歇電子。外層電子填充空穴向內(nèi)層躍遷過(guò)程中所釋放的能量，可能以X光的形式放出，即產(chǎn)生特征X射線，也可能又使核外另一電子激發(fā)成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子

電弧放電專業(yè)術(shù)語(yǔ)電弧放電是專業(yè)術(shù)語(yǔ)，拼音為diàn hú fàng diàn，兩個(gè)電極在一定電壓下由氣態(tài)帶電粒子，如電子或離子，維持導(dǎo)電的現(xiàn)象。激發(fā)試樣產(chǎn)生光譜。電弧放電主要發(fā)射原子譜線，是發(fā)射光譜分析常用的激發(fā)光源。

氮化硅重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料氮化硅，化學(xué)式為Si3N4，是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。它是一種超硬物質(zhì)，本身具有潤(rùn)滑性，并且耐磨損，為原子晶體；高溫時(shí)抗氧化。而且它還能抵抗冷熱沖擊，在空氣中加熱到1000℃以上，急劇冷卻再急劇加熱，也不會(huì)碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此優(yōu)異的特性，人們常常利用它來(lái)制造軸承、氣輪機(jī)葉片、機(jī)械密封環(huán)、永久性模具等機(jī)械構(gòu)件。如果用耐高溫而且不易傳熱的氮化硅陶瓷來(lái)制造發(fā)動(dòng)機(jī)部件的

無(wú)定形碳碳的同素異形體中的一大類無(wú)定形碳又稱為過(guò)渡態(tài)碳，是碳的同素異形體中的一大類。無(wú)定形碳即指那些石墨化晶化程度很低，近似非晶形態(tài)（或無(wú)固定形狀和周期性的結(jié)構(gòu)規(guī)律）的碳材料，如炭黑等。在炭素材料學(xué)歷史上，曾與石墨、金剛石并立，被認(rèn)為是碳元素三種存在狀態(tài)之一。

特征峰用于鑒定官能團(tuán)存在的峰用于鑒定官能團(tuán)存在的峰稱為特征吸收峰或特征峰（Characteristic Peak）。譜圖中的吸收峰對(duì)應(yīng)于分子中某化學(xué)鍵或基團(tuán)的振動(dòng)形式，同一基團(tuán)的振動(dòng)頻率總是出現(xiàn)在一定區(qū)域。

離子注入材料表面改性技術(shù)離子注入是指當(dāng)真空中有一束離子束射向一塊固體材料時(shí)，離子束把固體材料的原子或分子撞出固體材料表面，這個(gè)現(xiàn)象叫做濺射；而當(dāng)離子束射到固體材料時(shí)，從固體材料表面彈了回來(lái)，或者穿出固體材料而去，這些現(xiàn)象叫做散射；另外有一種現(xiàn)象是，離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來(lái)，并最終停留在固體材料中的這一現(xiàn)象叫作離子注入。

CBN立方氮化硼立方氮化硼極其堅(jiān)硬，顯微硬度HV72000～98000Mpa，硬度低於鉆石。和鉆石相似，立方氮化硼是一種絕緣體但卻是一種極佳的導(dǎo)熱體。結(jié)構(gòu)類似於鉆石的氮化硼形態(tài)，也叫正方體氮化硼、c-BN、β-BN、或z-BN（以閃鋅礦（ZincBlende）晶體結(jié)構(gòu)命名），是被廣泛使用的工業(yè)鉆磨工具。

化學(xué)氣相沉積制備材料的氣相生長(zhǎng)方法化學(xué)氣相沉積是一種制備材料的氣相生長(zhǎng)方法，它是把一種或幾種含有構(gòu)成薄膜元素的化合物、單質(zhì)氣體通入放置有基材的反應(yīng)室，借助空間氣相化學(xué)反應(yīng)在基體表面上沉積固態(tài)薄膜的工藝技術(shù)。

碳化硅（英文名：silicon carbide），分子式為SiC，是一種以共價(jià)鍵為主，碳、硅原子相互作用形成Sp雜化的非金屬化合物。其外觀顏色依據(jù)純度有黃色、綠色和藍(lán)黑色。依據(jù)其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，因此碳化硅具有耐磨性強(qiáng)、彈性模量高、硬度強(qiáng)、耐腐蝕等特性， 被廣泛應(yīng)用于磨料、耐火材料、化工等多個(gè)領(lǐng)域。自然界發(fā)現(xiàn)的碳化硅含量較低，工業(yè)上所使用的碳化硅幾乎都是人工合成的。

王恩哥，1957年1月出生于遼寧省沈陽(yáng)市，物理學(xué)家、中國(guó)科學(xué)院物理研究所所長(zhǎng)、北京凝聚態(tài)物理國(guó)家實(shí)驗(yàn)室（籌）主任、中國(guó)科學(xué)院副秘書長(zhǎng)、中國(guó)科學(xué)院研究生院常務(wù)副院長(zhǎng)、中國(guó)科學(xué)院數(shù)理學(xué)部院士、第三世界科學(xué)院院士、北京大學(xué)物理學(xué)院教授、中國(guó)科學(xué)院物理研究所研究員、北京科協(xié)副主席。

碳化硼最堅(jiān)硬的三種材料之一碳化硼（boron carbide ），別名黑鉆石，分子式為B?C，通常為灰黑色微粉。是已知最堅(jiān)硬的三種材料之一（其他兩種為金剛石、立方相氮化硼），用于坦克車的裝甲、避彈衣和很多工業(yè)應(yīng)用品中。它的摩氏硬度為9.3。它在19世紀(jì)作為金屬硼化物研究的副產(chǎn)品被發(fā)現(xiàn)，直到1930年代才被科學(xué)地研究。碳化硼可由電爐中用碳還原三氧化二硼制得。碳化硼可以吸收大量的中子而不會(huì)形成任何放射

物理氣相沉積一種鍍膜技術(shù)物理氣相沉積，英文Physical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱PVD。該技術(shù)指在真空條件下，采用物理方法，將固體或液體材料源表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過(guò)低壓氣體或等離子體，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。PVD技術(shù)主要分為三類，真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍和真空離子鍍膜，應(yīng)用較廣的是離子鍍。目前，物理氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金

甲基藍(lán)一種芳香雜環(huán)化合物甲基藍(lán)又稱油脂藍(lán)、棉藍(lán)、溶劑藍(lán)8B、酸性藍(lán)93、品藍(lán)，是一種芳香雜環(huán)化合物。分子式C37H27N3Na2O9S3。被用作生物染色劑，用于動(dòng)物組織學(xué)中原生動(dòng)物活體、細(xì)菌、神經(jīng)細(xì)胞的染色。醫(yī)用消毒劑。

紅外光譜分析對(duì)物質(zhì)分子進(jìn)行的分析、鑒定紅外光譜分析（infrared spectra analysis指的是利用紅外光譜對(duì)物質(zhì)分子進(jìn)行的分析和鑒定。將一束不同波長(zhǎng)的紅外射線照射到物質(zhì)的分子上，某些特定波長(zhǎng)的紅外射線被吸收，形成這一分子的紅外吸收光譜。

淋球菌本詞條是多義詞，共2個(gè)義項(xiàng)淋病奈瑟球菌的俗稱淋球菌是淋病奈瑟球菌的俗稱，為嚴(yán)格的人體寄生菌，常存在于急性尿道炎與陰道炎的膿性分泌物的白細(xì)胞中，形態(tài)染色類似于腦膜炎球菌。淋球菌感染可引起泌尿生殖系統(tǒng)的化膿性感染，是常見(jiàn)的性傳播疾病之一，俗稱淋病。臨床表現(xiàn)以尿道炎、宮頸炎多見(jiàn)，典型癥狀是排尿困難、尿頻、尿急、尿痛、排出黏液或膿性分泌物等。也可侵犯眼睛、咽部、直腸和盆腔等處以及血行播散性感染引起關(guān)

俄歇電子能譜俄歇電子能譜（Auger electron spectroscopy，簡(jiǎn)稱AES），是一種利用高能電子束為激發(fā)源的表面科學(xué)和材料科學(xué)的分析技術(shù)。因此技術(shù)主要借由俄歇效應(yīng)進(jìn)行分析而命名之。AES分析區(qū)域受激原子發(fā)射出具有元素特征的俄歇電子。外層電子填充空穴向內(nèi)層躍遷過(guò)程中所釋放的能量，可能以X光的形式放出，即產(chǎn)生特征X射線，也可能又使核外另一電子激發(fā)成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子

尿路感染（英文名：urinary tract infection，UTI），簡(jiǎn)稱為尿感，是一組各種病原微生物在尿路中生長(zhǎng)并繁殖而引起的感染性疾病。臨床上可分為腎盂腎炎、 膀胱炎、無(wú)癥狀性菌尿、復(fù)雜性尿路感染等。病因主要是由于細(xì)菌感染引起，致病菌以革蘭氏陰性桿菌為主，其中最常見(jiàn)的為大腸埃希菌。病原體可包括細(xì)菌、真菌、支原體、衣原體、病毒等。尿路感染女性的發(fā)病率為男性的4-5倍， 多見(jiàn)于育齡期女性、老

氮化硅重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料氮化硅，化學(xué)式為Si3N4，是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。它是一種超硬物質(zhì)，本身具有潤(rùn)滑性，并且耐磨損，為原子晶體；高溫時(shí)抗氧化。而且它還能抵抗冷熱沖擊，在空氣中加熱到1000℃以上，急劇冷卻再急劇加熱，也不會(huì)碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此優(yōu)異的特性，人們常常利用它來(lái)制造軸承、氣輪機(jī)葉片、機(jī)械密封環(huán)、永久性模具等機(jī)械構(gòu)件。如果用耐高溫而且不易傳熱的氮化硅陶瓷來(lái)制造發(fā)動(dòng)機(jī)部件的

特征峰用于鑒定官能團(tuán)存在的峰用于鑒定官能團(tuán)存在的峰稱為特征吸收峰或特征峰（Characteristic Peak）。譜圖中的吸收峰對(duì)應(yīng)于分子中某化學(xué)鍵或基團(tuán)的振動(dòng)形式，同一基團(tuán)的振動(dòng)頻率總是出現(xiàn)在一定區(qū)域。

奇異變形桿菌一種致病菌變形桿菌廣泛存在于水、土壤腐敗的有機(jī)物以及人和動(dòng)物的腸道中，為條件致病菌，多為繼發(fā)感染，如慢性中耳炎、創(chuàng)傷感染等，也可引起膀胱炎、嬰兒腹瀉、食物中毒等。變形桿菌屬包括普通變形桿菌、奇異變形桿菌、莫根變形桿菌、雷極變形桿菌和無(wú)恒變形桿菌。其中以普通變形桿菌和奇異變形桿菌與臨床關(guān)系較密切，奇異變形桿菌和普通變形桿菌是僅次于大腸埃希菌的泌尿系統(tǒng)感染的主要病原菌，腎結(jié)石和膀胱結(jié)石的形

CBN立方氮化硼立方氮化硼極其堅(jiān)硬，顯微硬度HV72000～98000Mpa，硬度低於鉆石。和鉆石相似，立方氮化硼是一種絕緣體但卻是一種極佳的導(dǎo)熱體。結(jié)構(gòu)類似於鉆石的氮化硼形態(tài)，也叫正方體氮化硼、c-BN、β-BN、或z-BN（以閃鋅礦（ZincBlende）晶體結(jié)構(gòu)命名），是被廣泛使用的工業(yè)鉆磨工具。

陰溝腸桿菌腸道正常菌種之一腸桿菌目腸桿菌科腸桿菌屬的一種細(xì)菌陰溝腸桿菌(Enterobacter cloacae)是腸桿菌目腸桿菌科腸桿菌屬的一種細(xì)菌，廣泛存在于自然界中，在人和動(dòng)物的糞便水、泥土、植物中均可檢出，是腸道正常菌種之一。